DRAM市场方面,布远他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的景产PCIe 5.0 SSD,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,面向AI市场有专用的高密度NAND。
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,而标准的上限是48Gbps,

在2026至2028年,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,
NAND方面,
在2029至2031年,还有很大潜力可以挖掘,SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、还有定制款的HBM4E。LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。
HBM5E以及其定制版本,12层和16层堆叠的HBM4E,企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,在NAND方面,线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,SK海力士计划推出HBM5、DRAM和NAND,